SJ 20642.4-1998 半导体光电模块GH81型光耦合器详细规范
|
ID： |
774C1B80D66547018300AD4F3FC35500 |
|
文件大小(MB)： |
0.51 |
|
页数： |
12 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-28 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
中华人民共和国电子行业军用标准,FL5980 SJ 20642/4-1998,半导体光电模块,GH81型光耦合器详细规范,Semiconductor optoelectronic module,Detail specification for type,GH81 opto - couplers,1998-03/1 发布1998 - 05 - 01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体光电模块,GH81型光耦合器详细规范,Semiconductor optoelectronic module Detail specification,for type GH81 opto - couplers,SJ 20642/4-1998,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 GH81型光耦合器（以下简称产品）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于产品的研制、生产和采购,2引用文件,GB4587 - 84双极型晶体管测试方法,GB11499 — 89 ‘半导体分立器件文字符号,GJB 150 - 86军用设备环境试验方法,GJB 179 - 86计数抽样程序及表,GJB 360 - 87电子及电气元件试验方法,GJB 548 - 88微电子器件试验方法和程序,SJ 2215 - 82半导体光耦合器测试方法,SJ 20642 - 97半导体光电模块总规范,3要求,3.1 详细要求,产品的要求应符合SJ 20642和本规范的规定,3.2 设计、外形结构和尺寸,3.2.1 产品的设计应满足本规范对性能指标和技术图纸的规定,中华人民共和国电子工业部1998 - 03-11发布 1998 - 05 - 01实施,—1 —,SJ 20642/4 — 1998,尺寸符号A ム瓦C e 句L D Z,最小值- 0.51 0.35 0.20 - - 3.5 - -,公称值- E - - 2.54 7.62 - - -,最大值5.5 一0.59 0.36 - - 5.0 10.16 1.27,图1外形尺寸,3.2.3 电路图见图2,3.2.4 引出端排列应符合图3的规定,图3引出端排列,3.3 外观质量,2,下载,SJ 20642/4 — 1998,产品的外表面应平整光洁,无毛剌、划伤、裂痕等影响寿命、使用或外观的缺陷,3.4 材料和元器件,产品所使用的材料和元器件是按军用标准或有关规定检验的合格品,3.5 制造要求,产品的制造应按有关工艺文件的规定执行,3.6 标志要求,产品应有下列标志:型号、承制方标志,批识别代码,3.7 最大额定值、主要光电特性和测试要求,3.7.1 最大额定值应符合表1的规定,表1,项 目符号数 值单位,工作环境温度ら-55-100 七,贮存温度% -55-125,隔离电压D 匕。2500 V,红外发射二极管:,反向电压Vr 5 V,正向电流2) h 40 mA,晶体管:,集电极ー发射极电压Hceo 25 V,集电极一基极电压VcBO 30 V,发射极一基极电压レEBO 4 V,集电极电流IC 20 mA,总耗散功率3) 100 mW,注;1) RH^50%, T= lmin0,2)み=50700セ时,按0.6mA/セ线性降额,3) = 35~ 100セ时,按 1.2mW/セ线性降额,3,SJ 20642/4 —1998,3.7.2 主要光电特性和测试要求应符合表2的规定,表2,特 性符号测试方法,测试条件,除非另有规定,Ta = 25七,极限值,单位,最小最大,耦合器特性:,隔离电阻Rio SJ 2215.13 Vro = 500V IO10 n,隔离电容Go SJ 2215.12 六 1MHz, V = 0 一2 pF,电流传输比CTR SJ 2215.10,仁 10V, ZF=10mA,Vo = 0.5V,19% - -,带宽B 附录A,= 10V, Zp= 10mA,VM=1VP.P,9 - MHz,输出延迟时间SJ 2215.11 IfP= 16mA, 7?l = 2kfl - 0.6 ps,￡PHL 7= 10kHz, D： 1/10 - 0.4 侔,红外发射二级,管输入特性:,反向电流SJ 2215.4 Vr = 5V 1.0 必,正向电压Vr SJ 2215.2 10mA - 1.5 V,晶体管输出,特性:,集电极ー发射,CEO GB 4587 Vce = 10V, /f = 0, /b = 0 100 nA,极截止电流2.14,集电极ー发射h（?t） GB 4587 /p = 10mA, /c= 1.0mA 一0.4 V,极饱和电压2.3.1,集电极ー发射^(BR)CEO) GB 4587 Iq = 100/xA, /B = 0, /p = 0 25 - V,极击穿电压2.9.2.1,集电极一基极^(BR)CBO) GB 4587 Iq- IOO^lA, Ze = O, Zp = O 30 - V,击穿电压2.9.2.21,发射极一基极^(BR)EBO) GB 4587 た二 100必,/c = 0, Zf = O 4 - V,击穿电压292.2,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应符合SJ 20642和本规范的规定,4.2 筛选,在提交鉴定检验和质量一致性检验前,产品应按SJ 20642和本规范表3进行筛选检验,不符合要求的产品应剔出。剔出的产品不能作为合格品交货,4,下载,SJ 20642/4 - I998,表3,序号试验项目,GJB54B,方法条件,1 内部目检2017,2 稳定性烘焙1008 Tstg=1……
……